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LED产业还要快马加鞭
www.materialsone.com/ 发布时间:2005-06-24 00:00
去年我国启动了半导体照明工程之后,掀起了LED产业的投资热
潮,产业链各个环节的自主创新速度大大提高,而相关标准工作也在
进行之中。但有关专家表示,与国外技术研发、产业化及标准制定速
度相比,我国LED产业的发展还要快马加鞭。
上下游自有技术同获突破  创新和产业化仍需提速
  最近传来消息,中科院半导体研究所在用于氮化镓外延片生产的
MOCVD设备研发方面取得突破,他们研制的样机已经可以向市场推
广。LED产业链上最关键的设备就是MOCVD,目前企业主要购买德国
AIXTRON和美国EMCORE两家供应商的MOCVD,而每台设备的价格在70万美元到100万美元。此次突破,有望打破国外MOCVD设备长期处于垄断的局面。
  据该项目负责人刘祥林研究员介绍,他们研制的MOCVD设备在
反应室(如衬底旋转、喷气口、加热装置)和气路两方面都取得了关键
性突破,可以一次生长3片和6片2英寸衬底。刘祥林强调,他们一直
瞄准做一种实用的产品,而非一台样机,因此,从设计最初就考虑到
设备的产品成本和使用维护成本。他举例说:“反应室是MOCVD设
备的核心部分,我们对它的喷气口做了特殊处理,可以在外延片生长
几十次甚至上百次之后才清洗一次,而国外的设备喷气口最多生长30
次之后就要清洗;在加热装置方面,我们采用高频加热方法,而一些
国外设备采用加热丝加热,最多使用千小时后就要更换,而一根加热
丝要1.7万美元,非常昂贵;此外,气路是MOCVD设备中最贵的部分,
增加一个气路需要15万元,而我们通过大量的实验,开发出了几台MOCVD共用一个气路的技术,从而大大降低了设备的成本。”
  刘祥林表示,目前,他们希望多与用户进行交流和沟通,并采用
一些灵活的销售策略,如在企业出一定费用的基础上由企业试用该设
备,与此同时,他们也欢迎企业以技术入股的方式进行投资。
  而在材料方面,江西南昌大学在“硅衬底上生长GaN技术”上取
得突破;北京大学、清华大学、中科院半导体所都做出了1W的大功率
芯片样片;国内封装骨干企业厦门华联等也在大功率芯片封装方面取
得了进展。
  虽然在超高亮和大功率LED方面的发展正在加快,但也有业内专
家指出,国外超高亮LED业的发展近几年也加快了步伐,如年初市场
上芯片的光强为1500mcd,而现在已经达到2200mcd,因此,只有
我国政府、企业和研究机构携手努力,方能加快LED业的发展。
标准将覆盖完整产业链  制定推广工作需加快
  7月下旬,信息产业部在北京举办了“半导体器件标准化研讨会”。据信息产业部标准化研究所负责该标准起草工作的王幼林介绍,会后,他们将首先组织企业和研究机构成立“标准工作组”,再由该工作组开展标准制定、标准体系的建立和完善等工作。
  此外,王幼林还介绍说,由于半导体照明产业链涵盖的环节非常
多,他们已经决定制定一个全面的产业标准。“半导体照明标准将不
是一个产品标准,它将包括从材料设备、芯片、封装工艺到应用的完
整标准体系。由于工艺技术涉及到企业的商业秘密,因此,这一标准
将由国家、行业和企业等多个不同级别的标准组成。”
  在此之前,中国光学光电子行业协会光电器件分会已经制定了《半导体发光二极管测试方法》,现在正在全行业推广试行,取得了很好的效果。而该标准的创新之一就是制定了LED结温和热阻测试的标准方法。“考虑到LED迅速运用到照明领域,使得LED芯片向大功率方向发展,因此,LED的热学参数将对LED的功率、发光效率、寿命等产生巨大影响。参考国内外类似器件的测试方法,并在实际的研究工作中证明可行的基础上,我们制定了LED结温和热阻测试的标准方法。”浙江大学鲍超教授介绍说。目前,按照这个方法,一些单位进行了热阻测试设备的初步开发,测量了研制的功率LED器件,取得了良好效果。
  有业内专家表示,目前,国际照明委员会等组织早就都出台了一
系列相关标准,因此我国LED业相关标准的制定工作还要加快,这样,才能更好地适应LED业的快速发展。

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